“北京市MOCVD工程技术研究中心”研制出大产能硅外延装备，已完成生产线验证并实现了产业化。

 随着我国集成电路产业的迅猛发展，硅外延生产与技术进入大规模量产时代，大产能、低功耗的硅外延装备成为行业扩产的迫切需求，其中对具有较好厚度与电阻率均匀性的大产能平板式多片外延装备的需求更是急剧增加。

 该工程中心在研发了第一代国产平板多片CVD（化学气相沉积）硅外延装备的基础上迭代创新，研制出载片量更多的新一代大产能硅外延装备。该装备采用了更大反应腔与基座的设计，改进了气流场、温度场控制技术及晶圆传输与定位技术，使外延片厚度和电阻率均匀性达到国际同类产品性能。该装备的产业化，提升了国产CVD装备的市场竞争力，带动了国内集成电路、功率器件等领域上、下游产业链的发展。