|
研究方向 ：
|
一.CMOS先导工艺技术研究 面向Moore law /More Moore /Beyond Moore 的后微电子时代，致力于22纳米级以下技术CMOS 关键工艺技术开发和国产设备验证，包括新材料、新工艺及新器件结构方面的研究。研究重点包括应变工程、高k栅介质/金属栅技术、超浅低阻源/漏技术、肖特基结源/漏技术、新器件结构、三维集成技术等。二.为系统集成技术研究 主要包括微纳器件结构与为系统的设计与模拟、微结构的制作以及CMOS-MEMS集成技术研究。研究重点是非制冷红外焦平面气体检测、微尖端阵列直写等MEMS 器件及为系统。三.新材料、新结构、新器件、新工艺技术研究 主要包括石墨烯、碳纳米管、混合晶向材料、化合物材料、SOI材料、TSV三维集成与封装技术研究等。
|
