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近期，依托中国科学院半导体研究所组建的“低维半导体材料与器件北京市重点实验室”研制成功深紫外激光光致发光光谱仪，并通过中科院计划财务局组织的专家验收。该仪器是在国家重大科研装备项目“深紫外固态激光源前沿装备研制”支持下，利用我国特有的深紫外激光源技术，研制出的以全固态深紫外激光（～177nm）为激发光源的光致发光光谱仪，填补了我国深紫外区光致发光谱仪的空白，为光谱技术和光谱仪器的发展做出重要贡献。
低维半导体材料与器件北京市重点实验室研制的该光谱仪，具有四个特点。第一、激发光源的波长范围较宽，激发光源是以钛宝石fs激光器为基础，包括其基频（690-990 nm）、二倍频（345-495 nm）、三倍频（230～330nm）及四倍频（177nm，光子能量7eV）；第二、具有时间积分（稳态）及时间分辨（瞬态）光谱测试功能；第三、光谱仪的光谱分辨率较高，优于0.04nm，可以满足激子等精细光学结构的研究。第四、样品温度在6-350K之间可控。该光谱仪除了可用于常规的宽带隙半导体材料的物理性质研究外，更重要的是可用于氮化铝、氮化硼、金刚石等超宽带隙半导体材料的研究，争取为尚处于探索阶段的超宽带隙半导体材料研究做出贡献。
为了推动我国科研装备自主研制，探索国家财政对科研装备自主创新的支持方式，“十一五”期间，财政部安排专项资金在中科院开展了“国家重大科研装备自主研制试点”工作。“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”是2007年启动实施的重大科研装备研制项目，半导体所承担了其中的“深紫外激光光致发光光谱仪”子项目。
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